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鑒于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略地位，國家從宏觀層面對第三代半導(dǎo)體進(jìn)行了全面支撐。我公司明確穩(wěn)定的研究方向積極推進(jìn)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)建設(shè)，在重視自主創(chuàng)新的同時(shí)也注重產(chǎn)學(xué)研和國際化合作，積極加強(qiáng)與國內(nèi)外知名半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、封裝企業(yè)、國內(nèi)科研機(jī)構(gòu)、高等院校以及企事業(yè)單位的合作，增強(qiáng)企業(yè)的技術(shù)集成及創(chuàng)新能力。公司于 2016年組建碳化硅功率半導(dǎo)體器件研發(fā)小組，主要表現(xiàn)為與一些高校，例如：山東管理學(xué)院建立產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系；和深圳清華研究院第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心簽約，目的是圍繞碳化硅器件封測方面作了一系列探索。

濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體以碳化硅功率器件生產(chǎn)封裝測試及應(yīng)用為中心，研發(fā)團(tuán)隊(duì)積極不斷的創(chuàng)新，2018 年僅一年的時(shí)間申請發(fā)明專利及實(shí)用新型近 10 項(xiàng)。

為了進(jìn)一步加快產(chǎn)業(yè)發(fā)展，魯晶半導(dǎo)體在濟(jì)南高新區(qū)支持下，在濟(jì)南高新區(qū)內(nèi)規(guī)劃建設(shè)半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)園，目標(biāo)是在2022年建成世界先進(jìn)水平的SiC功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)中心和封裝測試產(chǎn)業(yè)基地。

此次魯晶半導(dǎo)體申報(bào)的“碳化硅功率器件封裝及應(yīng)用創(chuàng)新項(xiàng)目”是魯晶半導(dǎo)體重點(diǎn)創(chuàng)新項(xiàng)目，是魯晶半導(dǎo)體升級的重要舉措 ，項(xiàng)目的成功實(shí)施將為魯晶半導(dǎo)體的廣大客戶提供更優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和更完善的服務(wù)。 并在技術(shù)上彌補(bǔ)國內(nèi)行業(yè)空白，推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)現(xiàn)彎道超車，躋身世界先進(jìn)水平。