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近年來，國(guó)家從宏觀層面對(duì)第三代半導(dǎo)體尤其是以SiC（碳化硅）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料出臺(tái)大力支持的各項(xiàng)政策。濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體有限公司——碳化硅功率器件封裝及應(yīng)用創(chuàng)新項(xiàng)目被列為2018年度山東省第三批技術(shù)創(chuàng)新項(xiàng)目。值此之際，濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體特邀山東大學(xué)、山東交通學(xué)院、山東管理學(xué)院多位教授，國(guó)務(wù)院政府津貼專家及濟(jì)南高新區(qū)領(lǐng)導(dǎo)于2019年3月11日在濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體有限公司順利召開碳化硅功率器件應(yīng)用研討會(huì)。

會(huì)議上首先由濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理徐文匯介紹魯晶半導(dǎo)體碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展情況以及碳化硅功率器件可行性報(bào)告。報(bào)告從以下方面進(jìn)行闡述：國(guó)家宏觀項(xiàng)目支持；SiC功率器件產(chǎn)品應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)鏈、制造工藝；SiC功率器件發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)；濟(jì)南基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)及市場(chǎng)預(yù)期。

并提出產(chǎn)業(yè)化工作與目標(biāo)：

1、 碳化硅功率器件研發(fā)及制造產(chǎn)業(yè)化工作項(xiàng)目圍繞以魯晶半導(dǎo)體為核心的封裝測(cè)試生產(chǎn)線以及后端應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，遴選前沿性、創(chuàng)新性和迫切需求，突破 SiC 功率器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中出現(xiàn)的若干關(guān)鍵技術(shù)問題，實(shí)現(xiàn)重大科技成果產(chǎn)業(yè)化。

2、強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合山東上下游，不斷打造并壯大碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈。

3、項(xiàng)目通過建立技術(shù)合作及產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新，圍繞碳化硅器件封測(cè)相關(guān)工藝技術(shù)不斷探索交流，推動(dòng)和促進(jìn) SiC 功率器件研發(fā)與應(yīng)用乃至濟(jì)南市 SiC 功率器件的聚集和發(fā)展。

隨后有請(qǐng)各位專家針對(duì)項(xiàng)目做發(fā)言，在會(huì)議中，大家暢所欲言，積極互動(dòng)，探討碳化硅功率器件應(yīng)用前景，為我們此次研討會(huì)注入新鮮知識(shí)與活力。大家一致認(rèn)為硅基功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，使得功率密度的增長(zhǎng)出現(xiàn)了飽和趨勢(shì)，其發(fā)展速度已無法滿足市場(chǎng)的高性能要求，SiC 功率器件的發(fā)展及應(yīng)用前景顯而易見。

在此次會(huì)議上濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體特聘請(qǐng)各位專家為該項(xiàng)目的高級(jí)顧問，通過建立技術(shù)合作及產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新，推動(dòng)和促進(jìn)SiC功率器件研發(fā)及應(yīng)用。

最后，由魯晶半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理徐文匯做了總結(jié)發(fā)言，山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢(shì)在必行，碳化硅功率器件應(yīng)用前景廣闊，隨后邀請(qǐng)各位專家合影留念。

此次碳化硅功率器件應(yīng)用研討會(huì)的順利召開預(yù)示著魯晶半導(dǎo)體碳化硅功率器件應(yīng)用研究將以更先進(jìn)更前沿的技術(shù)為支撐，加速濟(jì)南 SiC 功率器件產(chǎn)業(yè)鏈形成，推動(dòng)和促進(jìn) SiC 功率器件研發(fā)與應(yīng)用乃至濟(jì)南市 SiC 功率器件的聚集和發(fā)展，形成新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。